该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。
二、技术特点及技术指标：（突出与国内外同行的比较优势或区别）
1.纳米硅薄膜的禁带宽度大于2.0eV；2. 纳米硅薄膜的晶化率大于90%；3. 纳米硅薄膜二极管的工作温度不低于300oC，远高于传统的晶体硅二极管150oC的最高工作温度。
